[发明专利]高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构无效
| 申请号： | 200710118870.9 | 申请日： | 2007-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101325309A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张泉;郑厚植 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/125;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行光放大器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下布拉格反射器，该下布拉格反射器制作在缓冲层上；一下垒层，该下垒层制作在下布拉格反射器上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上布拉格反射器，该上布拉格反射器制作在上垒层的上面；一电极接触层，该电极接触层制作在上布拉格反射器上，形成微腔光放大器；把微腔光放大器光刻成条状台面，并将它的两个端面刻蚀成45度倾角的斜面并镀有增透膜。 | ||
| 搜索关键词： | 增益 噪声 980 nm 半导体 微腔光 放大器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行光放大器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下布拉格反射器，该下布拉格反射器制作在缓冲层上；一下垒层，该下垒层制作在下布拉格反射器上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上布拉格反射器，该上布拉格反射器制作在上垒层的上面；一电极接触层，该电极接触层制作在上布拉格反射器上，形成微腔光放大器；把微腔光放大器光刻成条状台面，并将它的两个端面刻蚀成45度倾角的斜面并镀有增透膜。
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