[发明专利]双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅有效
| 申请号： | 200710119199.X | 申请日： | 2007-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101350371A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;王科;任刚;杜晓宇;邢名欣;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;G02F1/35;G02B5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，该光子晶体光栅包括一二维光子晶体结构和一金属盖层；其中，所述二维光子晶体结构采用在双色半导体量子阱探测器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔，且孔内填充与顶部金属盖层相同的材料；所述金属盖层覆盖在所述二维光子晶体结构上。利用本发明，简化了红外焦平面的制作工艺，提高了对两种波段的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 量子 探测器 顶部 光子 晶体 光栅 | ||
【主权项】：
1、一种双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅，其特征在于，该光子晶体光栅包括一二维光子晶体结构和一金属盖层；其中，所述二维光子晶体结构采用在双色半导体量子阱探测器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔，且孔内填充与顶部金属盖层相同的材料；所述金属盖层覆盖在所述二维光子晶体结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
