[发明专利]围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200710119835.9 | 申请日： | 2007-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101359684A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 韩伟华;杨香 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种围栅控制结构的硅基单电子晶体管，包括：在SOI衬底上由顶层硅制作的硅源极导电台阶、硅漏极导电台阶、硅纳米电导线以及量子点接触结构，硅源极导电台阶和硅漏极导电台阶左右对称的分布于绝缘层表面，并通过硅纳米电导线相连接，量子点接触结构位于硅纳米电导线上的硅源极导电台阶和硅漏极导电台阶中间位置；位于硅源极导电台阶上的源极欧姆金属电极，以及位于硅漏极导电台阶上的漏极欧姆金属电极；位于硅纳米电导线上，靠近量子点接触结构且在硅源极欧姆导电台阶一侧的围栅金属电极。本发明同时公开了一种制作围栅控制结构硅基单电子晶体管的方法。利用本发明，实现了硅基单电子晶体管批量地具有稳定控制单电子输运的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 结构 硅基单 电子 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种围栅控制结构的硅基单电子晶体管，其特征在于，该硅基单电子晶体管包括：用于支撑整个硅基单电子晶体管的绝缘体上硅SOI衬底，包括硅基底(1)、绝缘层(2)和顶层硅；在所述SOI衬底上由顶层硅制作的硅源极导电台阶(3)、硅漏极导电台阶(4)、硅纳米电导线(5)以及量子点接触结构(6)，所述硅源极导电台阶(3)和硅漏极导电台阶(4)左右对称的分布于所述绝缘层(2)表面，并通过所述硅纳米电导线(5)相连接，所述量子点接触结构(6)位于所述硅纳米电导线(5)上的硅源极导电台阶(3)和硅漏极导电台阶(4)中间位置；在所述硅源极导电台阶(3)、硅漏极导电台阶(4)、硅纳米电导线(5)和量子点接触结构(6)表面，通过热氧化形成的绝缘氧化层(7)；位于所述硅源极导电台阶(3)上绝缘氧化层(7)上的源极欧姆金属电极(8)，以及位于所述硅漏极导电台阶(4)上绝缘氧化层(7)上的漏极欧姆金属电极(9)；位于所述硅纳米电导线(5)上绝缘氧化层(7)上，靠近所述量子点接触结构(6)且在所述硅源极欧姆导电台阶(3)一侧的围栅金属电极(10)。
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