[发明专利]串联可控硅同步触发方法无效
申请号: | 200710120193.4 | 申请日: | 2007-08-13 |
公开(公告)号: | CN101145774A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 赵世红;乔云庭 | 申请(专利权)人: | 赵世红;乔云庭 |
主分类号: | H03K17/78 | 分类号: | H03K17/78;H03K17/968 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 何文彬 |
地址: | 100085北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种串联可控硅同步触发方法,属于电力设备领域,包含光电耦合电路、变压器串联或电流互感器耦合的供电电路,将n级可控硅耦合触发电路进行串联连接,每当前一级可控硅触发导通后,开关接通其下一级可控硅触发,之后再接通第三级可控硅触发,依次顺序触发,直到所串联的n级可控硅全部触发导通。该串联可控硅同步触发方法提高了系统的可靠性、安全性,克服了传统方法中易受电磁干扰的缺陷,电路中也勿需设置高强度的隔离变压器,结构简单,成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 串联 可控硅 同步 触发 方法 | ||
【主权项】:
1.一种串联可控硅同步触发方法,包含光电耦合电路、变压器串联或电流互感器耦合的供电电路,其特征在于:将n级可控硅耦合触发电路进行串联连接,每当前一级可控硅触发导通后,开关接通其下一级可控硅触发,之后再接通第三级可控硅触发,依次顺序触发,直到所串联的n级可控硅全部触发导通。
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