[发明专利]反应腔室有效
| 申请号： | 200710120361.X | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101369515A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张庆钊 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应腔室，包括侧壁，侧壁上设有进气通道，进气通道可以直接设于侧壁的上部，也可以在侧壁的上部设进气环，进气环上设有进气通道，进气通道包括供气孔、匀气槽和多个进气孔，工艺气体可依次通过供气孔、匀气槽和多个进气孔进入反应腔室的内部，进行加工工艺。可以有效的改进进气方式，使气体在腔室中分布更加均匀，有效的提高了刻蚀后晶片表面图形的均匀一致性，优化了机台刻蚀性能。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，包括侧壁，其特征在于，所述的侧壁上设有进气通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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