[发明专利]腔室内衬及反应腔室有效
申请号: | 200710120745.1 | 申请日: | 2007-08-24 |
公开(公告)号: | CN101373702A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 管长乐 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/316;H01L21/67;C23C16/44;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵镇勇 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种腔室内衬及反应腔室,包括外层内衬和里层内衬,外层内衬与里层内衬之间留有间隙,里层内衬上开有多个通孔,外层内衬上开有与反应腔室外部相通的进气口,里层内衬上开有与反应腔室外部相通的排气口。工艺气体可以通过进气口进入外层内衬与里层内衬之间的间隙,再由里层内衬上的多个通孔进入反应腔室内部,对工艺气体起到一定的缓冲作用,既能起到保护反应腔室的侧壁的作用,又能起到提高反应腔室内等离子体的均匀性的作用。 | ||
搜索关键词: | 内衬 反应 | ||
【主权项】:
1.一种腔室内衬,其特征在于,包括外层内衬和里层内衬,外层内衬与里层内衬之间留有间隙,所述里层内衬上开有多个通孔,所述外层内衬上开有进气口,所述里层内衬上开有排气口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710120745.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造