[发明专利]一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法有效
| 申请号： | 200710120872.1 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101230450A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杜军;王毅;刘保亭;魏峰;杨志民;毛昌辉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱印康 |
| 地址： | 100088北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法，采用溅射法在经过标准RCA清洗过程后的Si片沉积100nm厚的Pt，随后将镀铂的Si片在管式炉中200－500℃退火1小时作为衬底，随后对满足化学剂量比(Ba+Sr＝1)的BST陶瓷靶预溅射24小时，随后在Ar∶O2＝1.5－1，总压10－100mTorr，衬底温度为550－700℃，靶和基片的距离为40－80mm的条件下，采用射频溅射法沉积220nm厚的BST介电陶瓷薄膜，溅射完毕后，在总压为2×103－5×104Pa的氧气气氛下缓慢冷却到室温。本发明制备的介电陶瓷薄膜，在直流电场下具有近50％的可调性，介电常数达680以上，介电损耗为1.5％，室温下，450kV/cm的场强时漏电流仅为10－8A/cm2数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 溅射 制备 织构化钛酸锶钡介电 陶瓷 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频溅射制备(111)织构(BaxSr1-x)TiO3介电陶瓷薄膜的方法，其特征是包括下列步骤：(1)、将采用RCA标准清洗工艺洗干净的单晶Si片，放入溅射设备，沉积90-110nm厚的Pt，随后将镀铂的Si片在管式炉中200-500℃退火0.5-1.5小时以作为衬底或直接镀Pt于单晶Si衬底上，并在200-500℃室温空气中退火得到(111)取向的Pt涂覆的Si基衬底最为最终沉积BST薄膜的衬底；(2)、在溅射设备中采用射频功率预溅射满足化学剂量比Ba+Sr＝1的BST陶瓷靶材20-30小时；(3)、在Ar∶O2为1.5-1范围内，总压10-100mTorr，衬底温度为550-700℃，靶和基片的距离为40-80mm的条件下，采用射频溅射法沉积200-240nm厚的(BaxSr1-x)TiO3介电陶瓷薄膜，溅射完毕后，在总压为2×103-5×104Pa的氧气气氛下缓慢冷却到室温。
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