[发明专利]一种微机电系统磁执行器的制作方法无效
申请号: | 200710121074.0 | 申请日: | 2007-08-29 |
公开(公告)号: | CN101376489A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 易亮;欧毅;陈大鹏;景玉鹏;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及微机电系统微型执行器技术领域,公开了一种微机电系统磁执行器的制作方法,包括:A.在硅晶片下表面上淀积氮化硅薄膜,上表面上淀积氧化硅薄膜;B.保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C.正面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形;D.正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈及电极;E.正面光刻,打底胶,蒸发种子层,电镀金;F.正面光刻,打底胶,去金去铬;G.正面泛曝,显影,打底胶,保护正面,腐蚀背面体硅直到氧化硅层;H.腐蚀氧化硅,释放执行器。本发明利用磁力为推动力,增强了执行器偏移振动能力,利用光刻胶作为绝缘材料,简化了制作工艺,避免了可能存在的应力、热效应等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 微机 系统 执行 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种微机电系统磁执行器的制作方法,其特征在于,该方法包括:A、在硅晶片下表面上淀积氮化硅薄膜,上表面上淀积氧化硅薄膜;B、保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C、正面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形;D、正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈及电极;E、正面光刻,打底胶,蒸发种子层,电镀金;F、正面光刻,打底胶,去金去铬;G、正面泛曝,显影,打底胶,保护正面,腐蚀背面体硅直到氧化硅层;H、腐蚀氧化硅,释放执行器。
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