[发明专利]一种微机电系统磁执行器的制作方法无效

专利信息
申请号: 200710121074.0 申请日: 2007-08-29
公开(公告)号: CN101376489A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 易亮;欧毅;陈大鹏;景玉鹏;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及微机电系统微型执行器技术领域,公开了一种微机电系统磁执行器的制作方法,包括:A.在硅晶片下表面上淀积氮化硅薄膜,上表面上淀积氧化硅薄膜;B.保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C.正面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形;D.正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈及电极;E.正面光刻,打底胶,蒸发种子层,电镀金;F.正面光刻,打底胶,去金去铬;G.正面泛曝,显影,打底胶,保护正面,腐蚀背面体硅直到氧化硅层;H.腐蚀氧化硅,释放执行器。本发明利用磁力为推动力,增强了执行器偏移振动能力,利用光刻胶作为绝缘材料,简化了制作工艺,避免了可能存在的应力、热效应等问题。
搜索关键词: 一种 微机 系统 执行 制作方法
【主权项】:
1、一种微机电系统磁执行器的制作方法,其特征在于,该方法包括:A、在硅晶片下表面上淀积氮化硅薄膜,上表面上淀积氧化硅薄膜;B、保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C、正面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形;D、正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈及电极;E、正面光刻,打底胶,蒸发种子层,电镀金;F、正面光刻,打底胶,去金去铬;G、正面泛曝,显影,打底胶,保护正面,腐蚀背面体硅直到氧化硅层;H、腐蚀氧化硅,释放执行器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710121074.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top