[发明专利]多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 200710121367.9 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101383378A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王琴;管伟华;刘琦;胡媛;李维龙;龙世兵;贾锐;陈宝钦;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及非挥发性存储器技术领域，公开了一种多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器，包括：用于支撑整个非挥发性存储器的半导体衬底11；在半导体衬底11中掺杂形成源极9和漏极10；在源极9和漏极10之间的沟道12；位于沟道12上的隧穿氧化层13；用于控制多层纳米晶浮栅结构氧化的控制氧化层14；位于控制氧化层14上的栅电极16；位于隧穿氧化层13与控制氧化层14之间的多层纳米晶浮栅结构15，用于作为非挥发性存储器的浮栅存储单元。本发明同时公开了一种制备多层纳米晶浮栅结构非挥发性存储器的方法。本发明解决单层纳米晶浮栅存储器的编程时间/电压与存储时间之间的矛盾，在较短的编程时间前提下提升器件的存储时间。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 纳米 晶浮栅 结构 挥发性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器，该非挥发性存储器包括：用于支撑整个非挥发性存储器的半导体衬底(11)；在半导体衬底(11)中掺杂形成源极(9)和漏极(10)；在源极(9)和漏极(10)之间的沟道(12)；位于沟道(12)上的隧穿氧化层(13)；用于控制多层纳米晶浮栅结构氧化的控制氧化层(14)；位于控制氧化层(14)上的栅电极(16)；其特征在于，该非挥发性存储器进一步包括：位于隧穿氧化层(13)与控制氧化层(14)之间的多层纳米晶浮栅结构(15)，用于作为非挥发性存储器的浮栅存储单元。
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