[发明专利]一种电子束对准标记的制作方法有效
| 申请号： | 200710121502.X | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101383268A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;黄俊;郑英奎;刘果果;和致经;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束对准标记的制作方法，包括：A.对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B.对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C.对衬底材料进行表面刻蚀；D.腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明，有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 对准 标记 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种电子束对准标记的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B、对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C、对衬底材料进行表面刻蚀；D、腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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