[发明专利]半导体加工工艺控制方法有效
| 申请号： | 200710121570.6 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101388323A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈卓 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体加工工艺控制方法，在半导体刻蚀、沉积等加工工艺中，首先，确定加工工艺中的射频偏压或其它的工艺参数与加工速率的关系；然后，检测加工工艺过程中的工艺参数，并根据所述的工艺参数及其与加工速率的关系确定加工速率；再根据加工速率与加工时间的乘积得到加工的厚度，当加工的厚度大于等于预定值时，停止该加工工艺。可以根据工艺参数的变化实时的得出加工速率，进而准确的确定加工的厚度，对半导体加工工艺进行精确的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体加工工艺控制方法，其特征在于，在半导体加工工艺中，根据加工速率与加工时间的乘积得到加工的厚度，当加工的厚度大于等于预定值时，停止该加工工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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