[发明专利]半导体加工系统及其保护真空压力敏感元件的方法有效
| 申请号： | 200710122007.0 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101393844A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 南建辉;宋巧丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体加工系统及其保护真空压力敏感元件的方法。包括真空系统，真空系统连接有大量程真空规和至少一个真空压力敏感元件，真空压力敏感元件与真空系统的连接处设有保护阀门，还包括压力信号处理单元，大量程真空规检测真空系统的压力信号，并将该信号输入给所述压力信号处理单元，压力信号处理单元对该信号进行处理，并根据处理的结果控制所述保护阀门的开关，实现对真空压力敏感元件的保护。不必在系统中设置过多的真空开关，结构简单、成本低，且能对真空压力敏感元件进行有效保护。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 系统 及其 保护 真空 压力 敏感 元件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体加工系统，包括真空系统，所述真空系统连接有大量程真空规和至少一个真空压力敏感元件，所述真空压力敏感元件与所述真空系统的连接处设有保护阀门，其特征在于，还包括压力信号处理单元，所述大量程真空规检测所述真空系统的压力信号，并将该信号输入给所述压力信号处理单元，所述压力信号处理单元对该信号进行处理，并根据处理的结果控制所述保护阀门的开关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
