[发明专利]一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法

摘要

一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法，它包括以下步骤：(1)晶片厚度监测、分组；(2)晶片初次清洗；(3)粘片；(4)正面抛光：抛光设置抛光机压力值10-20psi，抛光液流量100-160ml/min；(5)卸片、粘片及背面抛光；(6)晶片二次清洗；(7)检验包装。本发明的优点是：所使用的抛光液为“2360型”抛光剂添加次氯酸钠溶液，在大型抛光机上对晶片双面进行化学机械抛光，以获得高质量的砷化镓晶片表面，通过该方法抛光所得砷化镓抛光晶片总厚度变化不大于5μm，翘曲度不大于20μm，晶面平整度不大于4μm，表面粗糙度Ra达到0.1-0.2μm，在8000lux强光下均未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。

主权项

1、一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)、晶片厚度监测、分组；(2)、晶片初次清洗：晶片初次清洗时，将腐蚀液加热至30℃～60℃，而后将装有晶片的花篮放入腐蚀清洗10～60sec，腐蚀液由水、H2O2、NH4OH组成；(3)、粘片：在抛光盘表面温度30℃～60℃时进行粘片；(4)、正面抛光：抛光设置抛光机压力值10-20psi，抛光液流量100-160ml/min，抛光液为：纯水：“2360型”抛光剂：次氯酸钠(容积比)＝(60-100)∶(1-5)∶(1-5)的配制成抛光液。(5)、卸片、粘片及背面抛光：抛光设置抛光机压力值10-20psi，抛光液流量100-160ml/min，抛光时间均为30-90分钟。(6)、晶片二次清洗：在浓度为10-30％、温度为50℃～100℃的清洗液中超声清洗20-40分钟，充分冲水，再在80-100℃热酸中腐蚀1-2分钟，冷碱中浸泡1-2分钟。(7)检验包装。