[发明专利]一种场发射电子源的制备方法有效
| 申请号： | 200710124244.0 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101425439A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；加热该碳纳米管长线；提供一电子发射源，使用该电子发射源轰击该碳纳米管长线，使该碳纳米管长线在被轰击处熔断；将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 电子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；加热该碳纳米管长线；提供一电子发射源，使用该电子发射源轰击该碳纳米管长线，使该碳纳米管长线在被轰击处熔断；以及将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。
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