[发明专利]热电子源的制备方法有效
| 申请号： | 200710125673.X | 申请日： | 2007-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101471215A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种热电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一基板，在该基板的表面间隔地形成一第一电极和一第二电极；形成一碳纳米管薄膜结构覆盖所述第一电极和第二电极作为热电子发射体，该碳纳米管薄膜结构至少部分通过所述第一电极和第二电极与所述基板间隔，从而得到一热电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种热电子源的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在该基板的表面间隔地形成一第一电极和一第二电极；形成一碳纳米管薄膜结构覆盖所述第一电极和第二电极作为热电子发射体，该碳纳米管薄膜结构至少部分通过所述第一电极和第二电极与所述基板间隔，从而得到一热电子源。
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