[发明专利]用于局部屏蔽MR超导磁线圈的方法和装置有效
| 申请号： | 200710126220.9 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101093248A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 黄先锐 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01R33/42 | 分类号： | G01R33/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;张志醒 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于局部分等级屏蔽的方法和装置，其包括梯度屏蔽环(75)，该梯度屏蔽环具有定位于接近超导磁线圈(70，72)的多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)。该多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)与由磁场梯度产生的梯度磁场磁耦合，以便局部屏蔽该超导磁线圈(70，72)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 局部 屏蔽 mr 超导 线圈 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽线圈装置，包括：构成封闭的传导路径并且具有定位于沿着MR系统(10)的第一超导磁线圈(70)的部分的多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)的超导线(75)，该多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)配置为与由第一方向的磁场梯度(Gx，Gy，Gz)产生的梯度磁场磁耦合，以便局部屏蔽第一超导磁线圈(70)。
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