[发明专利]TFT阵列衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 200710126225.1 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101093848A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 矢野伸一;中堀正树;石贺展昭 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于得到一种在源、漏电极的界面上接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。本发明的TFT阵列衬底具有TFT(108)，其包括欧姆接触膜(8)和形成在欧姆接触膜(8)上的源电极(9)以及漏电极(11)。还具有与漏电极(11)电连接的像素电极(18)。此外，源电极(9)以及漏电极(11)由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列衬底，其特征在于，具有：TFT，包括欧姆接触膜和与所述欧姆接触膜接触的电极；以及与所述电极电连接的光透射性的导电性膜，所述电极由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
