[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种能够抑制SOI结构中的单晶半导体层的剥离的半导体装置的制造方法以及半导体装置。作为半导体装置的制造方法，首先在SOI形成区域上形成第一支承体孔和第二支承体孔。然后使用回蚀法在支承体孔的侧壁上形成第一侧壁(35)。然后，在硅基板(11)上形成支承体前驱层，从支承体前驱层形成支承体(26)。进而，将支承体(26)作为掩模，蚀刻硅锗层和硅层，露出第一硅锗层和第一硅层(16a)的端面。然后，使用回蚀法，在露出的露出面上形成第二侧壁(36)。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：以覆盖半导体基板的有源面侧的单晶区域露出的部分的方式，形成蚀刻选择比大于所述半导体基板的蚀刻选择比的第一单晶半导体层的工序；以覆盖所述第一单晶半导体层的方式，形成蚀刻选择比小于所述第一单晶半导体层的蚀刻选择比的第二单晶半导体层的工序；除去与使用所述第二单晶半导体层的一部分形成的元件区域部邻接并处于夹着所述元件区域部的位置区域内的所述第二单晶半导体层和所述第一单晶半导体层而开口，形成使所述半导体基板露出的支承体孔的工序；以掩埋所述支承体孔和所述元件区域部的方式在所述半导体基板的有源面侧形成支承体前驱层的工序；保留包括所述支承体孔和所述元件区域部的区域，蚀刻除去所述支承体前驱层而形成支承体的工序；将所述支承体作为掩模，形成露出所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的端部的至少一部分的露出面的工序；通过湿式蚀刻除去所述第一单晶半导体层的工序；利用热氧化在通过所述湿式蚀刻得到的空隙内填充氧化膜的工序；形成平坦化绝缘层，并采用化学机械研磨法对所述半导体基板的有源面侧实施平坦化的工序；通过使用了包含氟酸的蚀刻液的湿式蚀刻，对所述平坦化绝缘层进行蚀刻，露出所述第二单晶半导体层的工序；和在所述第二单晶半导体层上形成晶体管的工序，还具有：在所述形成支承体孔的工序之后，在与所述支承体孔邻接的所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的端面，形成对蚀刻液具有耐蚀刻性的第一侧壁的工序；和在所述填充氧化膜的工序之后，在位于所述支承体下侧的所述第一单晶半导体层和所述氧化膜的所述露出面，形成对蚀刻液具有耐蚀刻性的第二侧壁的工序。