[发明专利]在光罩上制作倾斜线路的方法有效

专利信息
申请号: 200710126598.9 申请日: 2007-06-22
公开(公告)号: CN101105623A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 郑成镐 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F1/14;H01L21/027
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了在光罩上制作倾斜线路的方法,将待曝光的矩形图案分成若干面积相同的第一矩形区域,用相同的电子束剂量在各个第一矩形区域曝光;在光罩的阻剂层上形成第一阻剂矩形图案;将第一阻剂矩形图案分成若干面积不同的第二矩形区域,用不同的电子束剂量在各个第二矩形区域曝光;在光罩的阻剂层上形成第二阻剂矩形图案;根据重叠间距,将多个第二阻剂矩形图案重叠放置,形成倾斜线路;经过显影、去阻剂层以及蚀刻过程后在光罩上形成倾斜线路。所述的通过控制电子束尺寸、电子束剂量和矩形图案重叠间距,使倾斜线路的分辨率提高,不同倾斜角度线路的临界尺寸差距减小。
搜索关键词: 光罩上 制作 倾斜 线路 方法
【主权项】:
1.一种在光罩上制作倾斜线路的方法,包括下列步骤:将待曝光的矩形图案分成若干面积相同的第一矩形区域,位于该矩形图案两端的第一矩形区域为第一边缘区域;用相同的电子束剂量在各个第一矩形区域曝光;在光罩的阻剂层上形成第一阻剂矩形图案;将第一阻剂矩形图案分成若干第二矩形区域,位于该矩形图案两端的第二矩形区域为第二边缘区域,第二边缘区域的面积比第一边缘区域面积小;第二边缘区域采用比第一边缘区域小的电子束剂量曝光,非边缘第二矩形区域采用与第一矩形区域相同的电子束剂量曝光;在光罩的阻剂层上形成第二阻剂矩形图案;根据重叠间距,重复上述步骤,形成多个第二阻剂矩形图案,并且将多个第二阻剂矩形图案重叠放置,形成倾斜线路;经过显影、去阻剂层以及蚀刻过程后在光罩上形成倾斜线路。
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