[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710126875.6 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101102093A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | J·里伊纳南;J·科科夫于奥里 | 申请（专利权）人： | 诺基亚公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 吴立明 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 示出了一种电感退化的低噪声放大器装置，其具有晶体管和连接到该晶体管输入端的接合焊盘，其中该接合焊盘具有寄生电容，并且其中该接合焊盘包括连接到该晶体管第二端的金属层。在场效应晶体管的情况下，该第二端可以是源极，而在双极晶体管的情况下，该第二端可以是发射极。该金属层可以是接合焊盘的接地平面或附加的中间层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种低噪声放大器装置，包括晶体管和连接到所述晶体管输入端的接合焊盘，所述接合焊盘具有对连接到所述晶体管第二端的金属层的电容性耦合。
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