[发明专利]静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710126906.8 申请日: 2007-06-29
公开(公告)号: CN101201514A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 金珉朱;姜镐哲;秋教燮 申请(专利权)人: LG.菲利浦LCD株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/133;G03F7/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉;吕俊刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法。第一ESD有机TFT、第二ESD有机TFT、第三ESD有机TFT分别具有栅极、源极和漏极,其中第一和第二ESD有机TFT的源极和漏极以及第三ESD有机TFT的栅极电连接。第一ESD有机TFT的栅极和源极电连接到第一阵列线,第二ESD有机TFT的栅极和漏极电连接到第二阵列线。第三ESD有机TFT的源极电连接到数据线或选通线,并且第三ESD有机TFT的漏极电连接到公共电压线。
搜索关键词: 静电 放电 保护 元件 具有 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种静电放电保护元件,该静电放电保护元件包括:第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第三TFT,每一个薄膜晶体管都具有栅极、源极和漏极;其中第一TFT的漏极和第三TFT的栅极电连接,并且第二TFT的源极和第三TFT的栅极电连接;其中第一TFT的栅极和源极电连接到第一阵列线,并且第二TFT的栅极和漏极电连接到第二阵列线;其中第三TFT的源极电连接到所述第一阵列线,并且第三TFT的漏极电连接到所述第二阵列线;并且其中每一个TFT都包括设置在源极和漏极之间的有机半导体层。
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