[发明专利]电子结构及形成介质膜的方法无效
| 申请号： | 200710126919.5 | 申请日： | 2007-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101101875A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | S·M·盖茨;S·V·恩古源;R·D·米勒;V·Y－W·李;A·格里尔;G·J－M·迪布瓦;V·V·帕特尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768;H01L23/532;H01L23/29;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了形成包括Si，C，O和H原子(SiCOH)或Si，C，N和H原子(SiCHN)的介质膜的方法，该介质膜具有增强的内聚强度(或等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性)，和增加的抗水侵蚀特性，例如应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性。本发明还提供了包括上述材料的电子结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 结构 形成 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成包括Si，C，H和O原子的介质膜的方法，包括：在反应室中提供衬底；在所述反应室中流入至少一种前体，其中所述至少一种前体是环碳硅烷或氧碳硅烷；以及在所述衬底上沉积介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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