[发明专利]用于改善半导体器件制造中的金属缺陷的方法有效
| 申请号： | 200710127028.1 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101106077A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 纳斯·M·罗斯;兰比尔·辛格 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/822;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱智勇 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于改善半导体器件制造中的金属缺陷的方法。本发明在一个方面中提供半导体器件的制造方法。该方法包括设置半导体衬底和在半导体衬底上淀积具有约1微米或更厚的总厚度的金属层。通过在半导体衬底上淀积具有与其相关的压缩或拉伸应力的金属层的厚度的第一部分，形成金属层。应力补偿层被淀积在第一部分之上，使得应力补偿层分给第一部分与与第一部分相关的压缩或拉伸应力相反的应力。金属层的厚度的第二部分然后被淀积在应力补偿层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 半导体器件 制造 中的 金属 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上淀积金属层，该金属层具有约1微米或更厚的总厚度；在半导体衬底上淀积金属层的第一部分，该第一部分具有与其相关的压缩或拉伸应力；将应力补偿层放在第一部分之上，使得应力补偿层具有与与第一部分相关的压缩或拉伸应力相反的应力；和在应力补偿层上淀积金属层的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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