[发明专利]动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200710127163.6 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101232044A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 林大为;蔡文哲 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/38;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法。存储单元包括底氧化层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、栅极以及掺杂层。底氧化层设置于基板上。第一半导体层设置于底氧化层上，并且具有第一掺杂浓度。第二半导体层设置于第一半导体层上，并且具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度。绝缘层设置于底氧化层上，且至少位于第一半导体层的两侧，此外绝缘层的高度大于第一半导体层的高度。栅极设置于第二半导体层上。掺杂层设置于对应栅极的两侧处，且掺杂层实质上接触于第二半导体层及绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器的存储单元，包括：底氧化层，设置于基板上；第一半导体层，设置于该底氧化层上，该第一半导体层具有第一掺杂浓度；第二半导体层，设置于该第一半导体层上，该第二半导体层具有第二掺杂浓度，该第一掺杂浓度高于该第二掺杂浓度；绝缘层，设置于该底氧化层上，且该绝缘层至少位于该第一半导体层的两侧，该绝缘层的高度大于该第一半导体层的高度；栅极，设置于该第二半导体层上；以及掺杂层，设置于对应该栅极的两侧处，且该掺杂层实质上接触于该第二半导体层及该绝缘层。
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