[发明专利]金属有机化合物的化学气相淀积设备无效
申请号: | 200710127400.9 | 申请日: | 2007-07-05 |
公开(公告)号: | CN101100743A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 上野昌纪;上田登志雄;高须贺英良 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/448;H01L21/365 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;黄启行 |
地址: | 日本大阪府大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 金属有机化合物化学气相淀积设备是用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备,并且包括:用于加热该衬底并且具有用于保持该衬底的保持表面的基座;和用于引入反应性气体到该衬底的气流道。具有被保持面对着该气流道的内部的保持表面的该基座是可旋转的,并且沿着反应性气体的流向的该气流道的高度从一个位置到一个位置保持定值,并且从该位置到下游侧是单调递减的。因此能在使得所形成的薄膜具有均匀厚度的同时提高薄膜形成效率。 | ||
搜索关键词: | 金属 有机化合物 化学 气相淀积 设备 | ||
【主权项】:
1.用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备,包括:用于加热所述衬底并且具有用于保持所述衬底的保持表面的加热元件;和用于引入所述反应性气体到所述衬底的气流道,其中具有被保持面对着所述气流道的内部的保持表面的所述加热元件是可旋转的,并且沿着所述反应性气体的流向的所述气流道的高度在从用于将所述衬底保持在所述保持表面的位置的上游侧端部到所述保持表面的任意的位置保持定值,并且从所述任意的位置到下游侧是单调递减的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社,未经住友电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710127400.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的