[发明专利]用于等离子体处理的方法无效
| 申请号： | 200710127593.8 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101102637A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 宋杰宏;马修·斯普勒;迈克尔·S·考克斯;马丁·杰伊·西芒斯;埃米尔·奥－巴亚缇;金博宏;海彻姆·马萨德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H05H1/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于减小以等离子体方式沉积介质层时等离子体不稳定性的方法。在一种实施例中，该方法包括：在等离子体处理室中设置衬底；使气体混合物流入室中；向电极施加RF功率以在室中形成等离子体；并收集电极的DC偏压。在另一种实施例中，用于等离子体处理的方法包括：获取多次等离子体产生事件中的DC偏压信息；并根据这些DC偏压信息确定RF功率施加率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于等离子体处理的方法，包括：在等离子体处理室中设置衬底；使气体混合物流入所述室中；向电极施加射频功率以在所述室中形成等离子体；收集表征所述电极直流偏压的量度；和响应于收集到的所述量度，对向所述电极施加射频功率的施加参数进行调整。
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