[发明专利]磁阻效应元件的制造方法及磁阻效应元件无效
| 申请号： | 200710127878.1 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101101957A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 藤庆彦;福泽英明;汤浅裕美 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22;G11B5/39;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;张惠萍 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可力求提高MR变化率和可靠性的磁阻效应元件、磁头、以及磁盘装置。其中，通过形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层，在该第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层，在该功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层，对该第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层，来构成磁阻效应元件的隔层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括：形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；在所述所形成的功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；对所述所形成的第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。
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