[发明专利]基板处理装置、液膜冻结方法以及基板处理方法有效
申请号: | 200710127899.3 | 申请日: | 2007-07-17 |
公开(公告)号: | CN101145502A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 宫胜彦;藤原直澄;泉昭 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B7/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够在抑制基板周边构件的耐久性劣化的同时,在整个基板表面生成冻结膜的基板处理装置、液膜冻结方法以及使用该液膜冻结方法的基板处理方法。从冷却气体排放喷嘴向形成了液膜的基板表面局部的排放冷却气体。然后,在旋转基板的同时,使冷却气体排放喷嘴沿着移动轨迹从基板的旋转中心位置向基板的端缘位置摇动。由此,在基板表面的表面区域中,冻结了液膜的区域(冻结区域)从基板表面的中央部向周缘部扩散。因此,冷却气体的供给部位被限定在基板表面上的一部分区域,从而能够在抑制基板周边构件的耐久性劣化的同时,在整个基板表面生成冻结膜。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 冻结 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,具有冻结形成在基板表面上的液膜的功能,其特征在于,具有:基板保持装置,其以使形成了液膜的基板表面朝向上方的状态,将基板保持为大致水平形态,冷却气体排放装置,其向在上述基板保持装置上保持的上述基板的表面,局部地排放冷却气体,该冷却气体的温度比构成上述液膜的液体的凝固点的温度低,相对移动机构,其使上述冷却气体排放装置沿着上述基板表面相对于上述基板移动; 在从上述冷却气体排放装置排放上述冷却气体的同时,通过上述相对移动机构使上述冷却气体排放装置相对于上述基板移动,从而在整个上述基板表面生成冻结膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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