[发明专利]图案形成方法无效
| 申请号： | 200710128050.8 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101126901A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 木原尚子;稗田泰之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;张惠萍 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种图案形成方法，其中包括下列步骤：将包括嵌段共聚物、硅化合物、以及用于溶解上述组分的溶剂的组合物涂布到对象上，以便在该对象上形成一层该组合物；使该层组合物进行嵌段共聚物的自组织，以使相分离成其中定位有通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较高抗刻蚀性能的硅化合物的第一相和包含通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较低的抗刻蚀性能的聚合物相的第二相，从而形成具有精细图案的图案层；以及用这样形成的图案层作为掩模刻蚀该对象。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案形成方法，包括下列步骤：将包括嵌段共聚物、硅化合物、以及用于溶解上述组分的溶剂的组合物涂布到对象上，以便在所述对象上形成一层所述组合物；对所述组合物层实施嵌段共聚物的自组织，使得相分离成第一相和第二相，所述第一相中定位有通过热处理或/和氧等离子体处理而具有较高的抗刻蚀性能的硅化合物，，所述第二相包含，通过热处理或/和氧等离子体处理具有较低的抗刻蚀性能的聚合物相，从而形成具有精细图案的图案层；以及用这样形成的图案层作为掩模刻蚀所述对象。
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