[发明专利]浅沟隔离结构的制备方法无效
| 申请号： | 200710128078.1 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101345205A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 赵海军 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;王兰凤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种浅沟隔离结构的制备方法，其首先在半导体衬底中形成至少一沟道，再进行掺杂工艺以将含氮掺杂剂植入所述沟道上部的内壁，使得所述含氮掺杂剂在所述沟道上部的浓度高于在所述沟道下部的浓度。之后，形成填满所述沟道并覆盖所述半导体衬底表面的旋涂介电层，再进行热氧化工艺以形成覆盖所述沟道内壁的氧化硅层。由于可抑制氧化速率的含氮掺杂剂在所述沟道上部的浓度高于在所述沟道下部的浓度，因此所述氧化硅层在所述沟道下部的厚度大于在所述沟道上部的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟隔离结构的制备方法，其特征在于包含下列步骤：在半导体衬底中形成至少一沟道；局部氮化所述沟道上部的内壁；形成填满所述沟道并覆盖所述半导体衬底表面的旋涂介电层；和进行热氧化工艺以形成覆盖所述沟道内壁的氧化硅层，其中所述氧化硅层在所述沟道下部的厚度大于在所述沟道上部的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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