[发明专利]反应室性能分析方法以及相关的性能分析系统无效
| 申请号： | 200710128381.1 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101345183A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 何煜文;乐庆莉 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G01M19/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应室性能分析方法，适用于晶片制造系统，其中晶片制造系统有至少一站台，该站台有至少一机台，该机台包括多个反应室。反应室性能分析方法包括下列步骤。提供既定对照表，其中既定对照表记录有关于机台的机台参数(ED)数据，且该机台参数(ED)数据中有对应的反应室信息。接着，由第一界面输入欲检查的至少一站别或一机台选择。依据既定对照表以及选取的站别或机台，在第一界面上产生至少一对应的显示结果。接着，利用至少一显示结果，判别并分析反应室的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 性能 分析 方法 以及 相关 系统 | ||
【主权项】：
1.一种反应室性能分析方法，适用于晶片制造系统，其中该晶片制造系统具有至少一站台，该站台具有至少一机台，该机台包括多个反应室，该反应室性能分析方法包括下列步骤：提供既定对照表，其中该既定对照表记录有关于该机台的机台参数数据，且该机台参数数据中有对应的反应室信息；由第一界面输入欲检查的至少一站别或一机台选择；依据该既定对照表以及选取的该站别或该机台，在该第一界面上产生至少一对应的显示结果；以及利用该至少一显示结果，判别并分析这些反应室的性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
