[发明专利]用于同时双面磨削多个半导体晶片的方法和平面度优异的半导体晶片

摘要

本发明的主题是一种用于多个半导体晶片的同时双面磨削的方法，其中每一半导体晶片都保持在这样的状态，其在通过旋转装置旋转的多个载具中的一个载具的镂空部分内可自由移动，并因此在摆线轨迹上移动，其中以材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工半导体晶片，其中每一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层。根据本发明的方法能够通过特定运动学制造极平坦的半导体晶片，该半导体晶片同样也是本发明的主题。

主权项

1.一种用于同时双面磨削多个半导体晶片的方法，其中每一半导体晶片都保持在这样的状态，即在通过旋转装置旋转的多个载具中一个载具的镂空部分内可自由移动并因此在摆线轨迹上移动，其中以材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工所述半导体晶片，其中每一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层，其中在加工过程中保持加工间隙内的主导温度恒定。