[发明专利]聚(亚芳基醚)聚合物作为栅极电介质和钝化层的薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200710128806.9 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101220147A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | C·P·克雷茨;W·F·小伯戈伊恩;T·J·马克利 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C08G65/48 | 分类号： | C08G65/48;C08G65/40;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 关立新;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 聚(亚芳基醚)聚合物作为栅极电介质和钝化层的薄膜晶体管。本发明将聚(亚芳基醚)聚合物用作薄膜晶体管中的钝化层或栅极介质层。该聚(亚芳基醚)聚合物包括以下结构的聚合物重复单元：一(O－Ar1－O－Ar2－O－)m－(－O－Ar3－O－Ar4－O)n－其中，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4为相同的或不同的芳基基团，m为0－1，n为1－m，并将至少一个芳基基团接枝到该聚合物的主链上。 | ||
| 搜索关键词： | 亚芳基醚 聚合物 作为 栅极 电介质 钝化 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管内的栅极介质层或钝化层，其特征在于，所述层包括至少一种含有以下结构的重复单元的聚合物：-(O-Ar1-O-Ar2)m-(-O-Ar3-O-Ar4)n-其中，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4为相同的或不同的芳基基团，m为0-1，n为1-m，并将至少一个芳基基团接枝到至少一个饱和或不饱和基团上，该基团不是芳族的且适合在低于200℃的固化温度下交联而在固化过程中不产生挥发物，并且固化后不提供官能团。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于气体产品与化学公司，未经气体产品与化学公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710128806.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
