[发明专利]用作H－桥电路的功率半导体模块及其制造方法有效
| 申请号： | 200710129219.1 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101114642A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | R·桑德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利股份公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;魏军 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有四个功率半导体芯片(N1，N2，P1，P2)和一半导体控制芯片(IC)的作为H桥电路(42)的功率半导体模块(41)，及制造该功率半导体模块(41)的方法。半导体芯片(N1，N2，P1，P2，IC)设置在一引线平面(80)的三个互相分离的大面积引线芯片接触区(43到45)上。半导体控制芯片(IC)设置于在中央设置的引线芯片接触区(45)上。作为下侧开关(58，59)的n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)以及作为上侧开关(48，49)的P型沟道功率半导体芯片(P1，P2)在任何情况下都被设置在两个侧向设置的引线芯片接触区(43，44)上。n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)共同处于地电势(50)且P型沟道功率半导体芯片(P1，P2)电连接到分开的电源电压(VS1，VS2)。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 电路 功率 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有四个功率半导体芯片(N1、N2、P1、P2)和半导体控制芯片(IC)的、作为H-桥电路(42)的功率半导体模块，所述半导体芯片被设置在引线平面(80)的三个互相分离的大面积引线芯片接触区(43，44，45)上，所述引线平面具有：在中央设置的引线芯片接触区(45)，在其上设置所述半导体控制芯片(IC)；以及在两个在侧向设置的引线芯片接触区(43、44)，在其每个上设置n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)作为下侧开关(58，59)和p型沟道功率半导体芯片(P1，P2)作为上侧开关(48，49)，并且所述n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)共同电连接到地电势(50)，且所述p型沟道功率半导体芯片(P1，P2)电连接到分开的供电电压源(VS1，VS2)。
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