[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710129486.9 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101150173A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 金台勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种非易失性存储器件及其制造方法。通过沿着下方电极的上边缘形成决定ReRAM相的电阻层，本发明的非易失性存储器件及其制造方法可以确保器件设计过程中临界驱动电压的裕量，并且改善器件的操作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：第一电极；第一电阻层，其沿着所述第一电极的边缘而形成；第二电阻层，其填充在所述第一电阻层的内部；以及第二电极，其形成于所述第一电阻层和所述第二电阻层之上。
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