[发明专利]在闪速存储器件中对数据进行编程的方法

摘要

一种将最高有效位(MSB)数据编程到闪速存储器件中包括第一和第二单元的多级单元的方法，包括：使用第一编程电压对第一单元执行第一编程操作，当对第一单元执行第一编程操作时，第一单元处于第一状态；如果在第一编程操作之后，确定第一单元处于第二状态，则基于对第一编程电压与针对第二编程操作而预限定的起始电压进行比较的结果，来限定第二编程电压；以及使用已经根据第一编程电压与起始电压之间比较的结果而限定的第二编程电压，对第二单元执行第二编程操作。

主权项

1.一种在包括多个多级单元的闪速存储器件中对数据进行编程的方法，所述多级单元包括第一单元和第二单元，所述方法包括：使用第一编程电压对所述第一单元和所述第二单元执行第一编程操作，当对所述第一单元执行所述第一编程操作时，所述第一单元处于第一状态；在已经执行所述第一编程操作之后，确定所述第一单元是否被编程到第二状态；如果确定所述第一单元处于所述第二状态，则将当前编程电压和用于第二编程操作的起始电压进行比较；基于所述比较的结果，限定用于所述第二编程操作的第二编程电压；以及使用已经根据所述比较的结果而限定的所述第二编程电压，来对所述第二单元执行所述第二编程操作。