[发明专利]包含纳米复合材料绝缘体的相变存储单元无效
| 申请号： | 200710130476.7 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101110468A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·哈普;扬·鲍里斯·菲利普 | 申请（专利权）人： | 奇梦达北美公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储单元包括第一电极、第二电极、位于第一电极和第二电极之间的存储材料、以及接触存储材料的纳米复合材料绝缘体。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 纳米 复合材料 绝缘体 相变 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，包括：第一电极；第二电极；存储材料，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及纳米复合材料绝缘体，接触所述存储材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇梦达北美公司，未经奇梦达北美公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710130476.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
