[发明专利]后修饰的聚乙烯基咔唑材料及制备方法和应用有效
| 申请号： | 200710131486.2 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101161692A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 黄维;解令海;凌启淡 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C08F126/06 | 分类号： | C08F126/06;C08F8/00;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 后修饰的聚乙烯基咔唑材料及制备方法和应用属有机光电材料科技领域，具体为一种后修饰的聚乙烯基咔唑材料及其制备方法，并将该类材料应用于有机闪存器件和有机发光显示等有机电子领域，该材料具有如右式，该材料具有：(1)合成步骤简单、条件温和；(2)具有特殊的电子结构和光电性质，如闪存电双稳态效应；(3)保持了高热稳定性和玻璃化温度等优点。可以预期，该类材料将成为有商业化潜力的有机光电功能材料。 | ||
| 搜索关键词： | 修饰 聚乙烯 基咔唑 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种后修饰的聚乙烯基咔唑材料，其特征在于该材料以非平面的芳基芴作为后修饰基团，具有为如下结构：![]()
式中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基或烷氧基链；n代表所得聚合物链中乙烯基咔唑的含量，为1-1000之间的实数；x、y分别为1～100的实数；W为碳或氮；Ar为共轭结构单元；Ar具体为如下列结构中的一种：![]()
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