[发明专利]一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法无效
| 申请号： | 200710132283.5 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101158026A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 康琳;昌路;李阳斌;吴培亨 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法，该方法包括(a)MgO或Si或SiOx/Si单晶基片的清洗；(b)将基片放入磁控溅射系统中的样品座上，样品座采用冷却循环水进行冷却，水温度低于摄氏20度；(c)对系统进行抽真空，利用离子束清洗技术清洗基片；(d)清洗结束，系统继续抽真空；(e)溅射生长NbN薄膜。XRD、AFM、TEM研究，证实了薄膜的外延性能以及薄膜生长的连续性和致密性。Si基片上的SiOx层有助于提高超薄NbN超导薄膜的超导电能，和单纯的单晶Si基片相比，其上生长的超薄NbN超导薄膜的Tc和Jc都更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mgo si 衬底 超薄 nbn 超导 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在MgO或Si衬底上生长超薄的NbN超导薄膜的方法，其特征是该方法包括以下步骤：(a)MgO或Si或SiOx/Si单晶基片的清洗：将基片放入丙酮和酒精溶液中超声清洗，然后用去离子水冲洗，氮气吹干，备用；其中x为1或2；(b)将基片放入磁控溅射系统中的样品座上，样品座采用冷却循环水进行冷却，水温度低于摄氏20度；(c)由分子泵和机械泵组成的真空系统进行抽真空，当真空室背景真空小于5×10-4Pa后，利用离子束清洗技术清洗基片；(d)清洗结束，系统继续抽真空至背景真空小于3×10-5Pa；(e)溅射生长NbN薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710132283.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
