[发明专利]改善ESD防护器件均匀导通的方法无效
| 申请号： | 200710133873.X | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101409444A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 石俊;夏洪旭;王政烈 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 地址： | 215025江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种改善ESD防护器件均匀导通的方法，适用于集成电路中静电放电(ESD)防护器件的特性改进，其中所述的MOS晶体管具有多个相互并联的指状元件，各指状元件分别关联于一个寄生三极管，且各寄生三极管的集电极(即MOS晶体管的漏极)通过共漏极线耦接于工作电位端或集成电路的I/O端，寄生三极管的发射极(即MOS晶体管的源极)与MOS晶体管的栅极、衬底共同连接于公共接地电位端。其特征为：在所述的ESD防护器件中，MOS晶体管的衬底端还串联有一高阻值装置，进而将其与上述源极、栅极一起耦接到公共接地电位端。藉此可以降低Gated_MOSFET的触发电压，使得大尺寸的防护器件能够更均匀的导通，提高器件的ESD防护能力，进一步节省电路设计面积，降低开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 esd 防护 器件 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善ESD防护器件均匀导通的方法，适用于集成电路中静电放电(ESD)防护器件的特性改进，其中所述的MOS晶体管具有多个相互并联的指状元件，各指状元件分别关联于一个寄生三极管，且各寄生三极管的集电极(即MOS晶体管的漏极)通过共漏极线耦接于工作电位端或集成电路的I/O端，寄生三极管的发射极(即MOS晶体管的源极)与MOS晶体管的栅极及衬底共同连接于公共接地电位端，其特征在于：在所述的ESD防护器件中，MOS晶体管的衬底端还串联有一高阻值装置，进而将其与上述源极、栅极一起耦接到公共接地电位端。
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