[发明专利]图形形成方法和图形形成装置有效
| 申请号： | 200710136093.0 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101123181A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 山本太郎;小杉仁;山田善章;杂贺康仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/38;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种图形形成方法和该方法所使用的图形形成装置，即便是为了浸液曝光而使基板表面为疏水性的基板，也能够均匀且稳定地形成规定的抗蚀图形。在涂布显影液形成抗蚀图形之前，向通过浸液曝光而使抗蚀膜曝光为规定图形的基板表面供给药液，使基板表面亲水化至显影液润湿整个表面的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种图形形成方法，其特征在于，在基板表面形成抗蚀膜或者依次形成抗蚀膜和保护膜，然后，一边将形成有抗蚀膜或者抗蚀膜和保护膜的基板浸渍在液体中，一边进行曝光，通过浸液曝光在所述抗蚀膜上形成规定的曝光图形，使用显影液使曝光图形显影，形成规定的抗蚀图形，在浸液曝光之后、使曝光图形显影之前，实施亲水化处理，使构成基板表面的抗蚀膜表面或者保护膜表面亲水化至显影液润湿整个表面的程度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710136093.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
