[发明专利]在存储器单元中形成沟槽和接触的方法

摘要

本发明公开了一形成接触的方法和使用该方法形成的存储器阵列。该方法包含：提供存储器阵列，该存储器阵列具有设置在一半导体基板的表面下方的多个位元线和设置在该基板表面上方并与该位元线横向的多个字线；在该多个字线上形成一硬屏蔽材料层，其中位于至少一位元线上方并位于两个连续字线之间的区域暴露在该硬屏蔽材料层中一开口的下方；在该硬屏蔽材料层上方形成一绝缘材料层；在该区域上方的绝缘材料层中形成一相邻沟槽和通孔(via)图案，使得至少一位元线的一部分暴露在该图案下方；以及形成一互连件。

主权项

1.一种在存储器单元中形成沟槽和接触的方法，其特征在于，该方法包括：提供一存储器阵列，该存储器阵列包括设置在一半导体基板一表面下方的多个位元线以及设置在该基板的所述表面上方并与所述位元线横向的多个字线；在该多个字线上形成一硬屏蔽材料层，其中位于该至少一位元线上方并位于两个连续字线之间的区域暴露在该硬屏蔽材料层中的一开口下方；在该硬屏蔽材料层上方形成一绝缘材料层；在该区域上方的该绝缘材料层中形成一相邻沟槽及通孔图案，使得该至少一个位元线的一部分暴露在该图案下方；以及形成一互连件，该互连件包括设置在该相邻沟槽及通孔图案中的导电材料，其中该互连件与该至少一个位元线的暴露部分导电性接触。