[发明专利]晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200710136426.X | 申请日： | 2007-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101350363A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李培瑛;林瑄智 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管结构及其制作方法。该晶体管结构包含位于基材中的栅极沟槽，其包含具有宽度大于自身颈部的笔型底部，颈部包含第一导电层而笔型底部包含第二导电层、位于栅极沟槽上并与第一导电层电连接的栅极结构、分别位于栅极沟槽一侧的源极掺杂区与漏极掺杂区，以及介于漏极掺杂区与源极掺杂区间的栅极沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管结构，包含：基材，该基材具有一定的晶格方向；栅极沟槽，位于该基材中，该栅极沟槽包含具有第一宽度的颈部与第二宽度的笔型底部，其中该颈部包含第一导电层、该笔型底部包含第二导电层且该第一宽度小于该第二宽度；栅极结构，其位于该栅极沟槽上并与该第一导电层电连接；源极掺杂区，设于该基材中，并位于该栅极沟槽的一侧；漏极掺杂区，设于该基材中，并位于该栅极沟槽的另一侧；栅极沟道，设于该基材中，并介于该漏极掺杂区与该源极掺杂区之间；以及介电层，其覆盖该栅极结构、该源极掺杂区与该漏极掺杂区。
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