[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置无效
| 申请号： | 200710136637.3 | 申请日： | 2007-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101110432A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 永田一志;中川直纪;今村卓司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/36;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供性能稳定的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法及显示装置。本发明的一种形态的薄膜晶体管阵列基板是一种具备半导体层(22)和栅电极(24)的薄膜晶体管阵列基板，该半导体层(22)具有形成在绝缘基板(21)上的第1导电型的源极区域(221)、第1导电型的漏极区域(222)以及配置在源极区域(221)和漏极区域(222)之间的沟道区域(223)，该栅电极(24)则隔着栅极绝缘膜(23)配置在沟道区域(223)的对面；沟道区域(223)含有在膜厚方向上以预定分布导入的第2导电型杂质；在沟道区域(223)与绝缘基板(21)的界面附近或绝缘基板(21)一侧具有第2导电型杂质的最大浓度点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板，是具备结晶性硅层和栅电极的薄膜晶体管阵列基板，该结晶性硅层具有形成在基板上的第1导电型的源极区域、第1导电型的漏极区域以及配置在上述源极区域和上述漏极区域之间的沟道区域，该栅电极则隔着栅极绝缘膜配置在上述沟道区域的对面；上述沟道区域含有在膜厚方向上以预定分布导入的第2导电型杂质；在上述沟道区域与上述基板的界面附近或上述基板一侧具有上述第2导电型杂质的最大浓度点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
