[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710136644.3 | 申请日： | 2007-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101110388A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 郑恩洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体器件的方法。在该方法中，在半导体衬底上形成具有第一宽度的光刻胶图形，并且使用该光刻胶图形作为掩模蚀刻该半导体衬底，以形成半导体凸起部。在包括该半导体凸起部的半导体衬底的整个表面上形成氧化层。随后，除去该半导体凸起部，以形成被该氧化层包围的沟槽。之后，在该沟槽上实施覆盖蚀刻，以仅仅留下一部分形成于该沟槽周围的氧化层。在包括该部分氧化层的该半导体衬底的整个表面上沉积金属，并且除去该部分氧化层，以形成金属图形。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成具有第一宽度的光刻胶图形；使用该光刻胶图形作为掩模蚀刻该半导体衬底，以形成半导体凸起部；在包括该半导体凸起部的半导体衬底的整个表面上形成氧化层；除去该半导体凸起部，以形成被该氧化层包围的沟槽；在该沟槽上实施覆盖蚀刻，以仅仅留下一部分形成于该沟槽周围的氧化层；在包括该部分氧化层的该半导体衬底的整个表面上沉积金属；并且除去该部分氧化层，以形成金属图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
