[发明专利]电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710136667.4 | 申请日： | 2007-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101350347A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲;李名言;蔡文立 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/108;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容器及其制备方法。该电容器包括：介电层；第一导电层，位于该介电层上；支撑肋，沿第一方向延伸并埋设于该第一导电层中；第二导电层，沿垂直于该第一方向的第二方向延伸并埋设于该第一导电层中，其中该第二导电层的一部分跨置于该支撑肋上且为该支撑肋所支撑；以及电容层设置于该第二导电层与该第一导电层间，以电性隔离该第二导电层与该第一导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，包括：介电层；第一导电层，位于该介电层上；支撑肋，沿第一方向延伸并埋设于该第一导电层中；第二导电层，沿垂直于该第一方向的第二方向延伸并埋设于该第一导电层中，其中该第二导电层的一部分跨置于该支撑肋上且为该支撑肋所支撑；以及电容层，设置于该第二导电层与该第一导电层之间，以电性隔离该第二导电层与该第一导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
