[发明专利]衬底加工设备和衬底加工方法无效
| 申请号： | 200710136701.8 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101101861A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 白樫充彦;安田穗积;粂川正行;小畠严贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/321;H01L21/67;H01L21/768;C25F7/00;C25F3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘兴鹏;邵伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 加工 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底加工设备，包括：用于保持衬底的机头区段；对衬底表面电镀以形成电镀金属膜的镀膜区段；用于在镀膜之后清洁该衬底的清洁区段；以及电解加工区段，该区段用于这样对在该衬底上至少所述金属膜进行电解去除加工，即通过使离子交换剂存在于清洁后的该衬底和电极之间、并在液体存在的情况下把电压施加在该衬底和该电极之间；其中该机头区段能够在该镀膜区段、该清洁区段和该电解区段之间移动，同时保持该衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
