[发明专利]使用低介电常数应力衬垫减小寄生电容的结构和方法无效
| 申请号： | 200710136817.1 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101132023A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;李伟健 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种替代CMOS器件内常规应力衬垫的低k应力衬垫。在一个实施例中，压缩应力的低k应力衬垫被提供，其可以改善pFET器件内的空穴迁移率。该压缩应力的低k应力衬垫的UV曝光导致该低k应力衬垫的极性从压缩应力改变为拉伸应力。使用这种拉伸应力的低k应力衬垫改善nFET器件内的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 介电常数 应力 衬垫 减小 寄生 电容 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体基板，其上具有至少一个场效应晶体管；以及应力衬垫，位于部分的所述半导体基板上并围绕所述至少一个场效应晶体管，其中所述应力衬垫具有小于4.0的介电常数。
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