[发明专利]固体摄像元件无效
申请号: | 200710136830.7 | 申请日: | 2007-07-17 |
公开(公告)号: | CN101114665A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 伊泽慎一郎 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在横型溢出沟槽结构的CCD固体摄像元件中应用AGP驱动时,产生电荷从溢出沟槽区域(14)漏出到第二沟道区域(8)而使信息电荷叠加有噪声的问题。因而,本发明具有:以相互平行方式设置的多个第一沟道区域(4);在相邻的第一沟道区域(4)之间所设置的溢出沟槽区域(14);在第一沟道区域(4)和溢出沟槽区域(14)之间所设置的多个分离区域(12);和在多个第一沟道区域上、在与第一沟道区域(4)交叉的方向以相互平行方式所设置的多个第一传送电极(10),设置有位于第一沟道区域(4)和规定的第一传送电极(10)交叉的区域附近且比第一沟道区域(4)浓度高的第二沟道区域(8),与第二沟道区域(8)相邻的溢出沟槽区域(14)具有朝向第二沟道区域(8)的突出部(18)。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 元件 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像元件,具有:在第一导电型的半导体基板的主面以相互平行方式设置的第二导电型的多个第一沟道区域;在相邻的上述第一沟道区域之间所设置的第二导电型的溢出沟槽区域;在上述第一沟道区域和上述溢出沟槽区域之间所设置的第一导电型的多个分离区域;和在上述多个第一沟道区域上形成且在与上述多个第一沟道区域相交叉的方向以相互平行的方式所设置的多个第一传送电极,该固体摄像元件,设置有第二导电型的第二沟道区域,其位于上述第一沟道区域和规定的上述第一传送电极相交叉的区域附近,并且在上述半导体基板的主面浓度比上述第一沟道区域高,与上述第二沟道区域相邻的上述溢出沟槽区域具有朝向上述第二沟道区域的突出部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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