[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710136906.6 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101114671A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 三田惠司;玉田靖宏;大家健太郎 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331;H01L21/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。现有的半导体装置例如横型PNP晶体管中，其存在的问题是在维持耐压特性的同时，不增大器件尺寸就难以得到期望的电流放大率。而在本发明的半导体装置中，其在P型单晶硅衬底(3)上形成有N型外延层(4)。在横型PNP晶体管(1)中，外延层(4)作为基极区域使用。而且，在衬底(3)以及外延层(4)上扩散有钼(Mo)。利用该构造能够调整基极电流值、实现横型PNP晶体管(1)的期望的电流放大率(hFE)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：半导体层、形成于所述半导体层上的发射极区域、基极区域以及集电极区域，其特征在于，在作为所述基极区域使用的所述半导体层上扩散有钼(Mo)。
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